[发明专利]多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010646583.0 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111807842B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张景德;李子禾;温家强;韩桂芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B38/06;B01J27/224;B01J35/04;B01J35/10 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 250061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法。所述多孔碳化硅陶瓷为蜂窝状结构，多孔碳化硅陶瓷的孔隙呈立体网格状无序联通，孔隙分布均匀，孔隙的尺寸为20μm～30μm。所述多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法包含：a.将基体原料碳化硅粉体、氢氧化铝粉体、氧化钇粉体加入容器中，然后再加入分散剂、去离子水，首次球磨，之后再加入粘结剂，二次球磨，得到均匀的浆料；b.将步骤a所制得的浆料倒入容器中真空除泡，之后将除泡后的浆料注入到冷冻模具中冷冻，得到冷冻生胚；c.将步骤b所制得的冷冻生胚在真空条件下干燥，得到多孔SiC胚体；d.将步骤c所制得的胚体放入保温箱干燥；e.将步骤d所得到的胚体烧结。本公开的制备工艺简单高效，操作易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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