[发明专利]多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010646583.0 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN111807842B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 张景德;李子禾;温家强;韩桂芳 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B38/06;B01J27/224;B01J35/04;B01J35/10
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 张向琨
地址: 250061 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 多孔 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:

a.将基体原料碳化硅粉体、氢氧化铝粉体和氧化钇粉体以质量比(65~85):(10~30):(5~25)加入容器中;然后再加入分散剂、去离子水,去离子水的加入量为基体原料质量的0.5倍~2.5倍,进行首次球磨,之后再加入粘结剂,进行二次球磨,得到均匀的浆料;

b.将步骤a所制得的浆料倒入容器中进行真空除泡,之后将除泡后的浆料注入到冷冻模具中进行冷冻,冷冻温度为-10℃~-20℃,冷冻模具的底部为铝板、冷冻模具的壁部为聚苯乙烯,得到冷冻生胚;

c.将步骤b所制得的冷冻生胚在真空条件下进行干燥处理,真空条件为-5℃~-60℃的温度、4Pa~20Pa的真空度,干燥处理时间为20h~40h,得到多孔SiC胚体;

d.将步骤c所制得的胚体放入保温箱,进行干燥,干燥的温度为70℃~120℃,干燥的时间为2h~36h;

e.将步骤d所得到的胚体进行烧结,所述烧结的温度为1400℃~1500℃,烧结后得到具有蜂窝结构的多孔碳化硅陶瓷材料;

所述多孔碳化硅陶瓷的孔隙呈立体网格状无序联通,所述孔隙分布均匀,所述孔隙的尺寸为20μm~30μm;

所述多孔碳化硅陶瓷的孔隙率为50%~80%;

所述多孔碳化硅陶瓷的抗压强度为4MPa~25MPa;

所述多孔碳化硅陶瓷的比表面积为4m2/g~18m2/g。

2.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,

步骤a中,所述分散剂选自四甲基氢氧化铵、硅酸钠以及聚丙烯酰胺中的至少一种,所述分散剂的加入量为基体原料质量的0.5%~1.5%;和/或

步骤a中,所述粘结剂选自聚乙二醇、聚乙烯醇以及羧甲基纤维素钠中的至少一种,所述粘结剂的加入量为基体原料质量的0.5%~1.5%。

3.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,首次球磨的时间为2h~12h,二次球磨的时间为1h~6h。

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