[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010639913.3 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN112510045A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 金俊澈;洪相宇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 任旭;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，具有芯片区域和划道区域，划道区域具有在第一方向上延伸的第一边缘和在第二方向上延伸的第二边缘；第一绝缘夹层结构，位于划道区域上并且包括低k介电材料；第一导电结构，位于划道区域的与一个第一边缘相邻的部分上，并且均在竖直方向上延伸穿过第一绝缘夹层结构且在第一方向上延伸；第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层结构上并且包括其介电常数比第一绝缘夹层结构的介电常数大的材料；第一过孔，均在第一方向上延伸穿过第二绝缘夹层以接触一个第一导电结构；以及第一布线，公共地接触第一过孔的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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