[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，具有芯片区域和划道区域，划道区域具有在第一方向上延伸的第一边缘和在第二方向上延伸的第二边缘；第一绝缘夹层结构，位于划道区域上并且包括低k介电材料；第一导电结构，位于划道区域的与一个第一边缘相邻的部分上，并且均在竖直方向上延伸穿过第一绝缘夹层结构且在第一方向上延伸；第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层结构上并且包括其介电常数比第一绝缘夹层结构的介电常数大的材料；第一过孔，均在第一方向上延伸穿过第二绝缘夹层以接触一个第一导电结构；以及第一布线，公共地接触第一过孔的上表面。

本申请要求于2019年9月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0113332号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及DRAM器件。

背景技术

晶圆(wafer)可以包括多个芯片区域以及围绕它们的划道区域，并且用于测试芯片区域上的元件的电特性的测试元件组(TEG)、对准键等可以形成在划道区域上。在晶圆上形成半导体芯片之后，可以通过划道区域执行用于切割晶圆及其上的结构的切割工艺，从而可以划分半导体芯片。由于划道上的诸如TEG的结构，会无法容易地执行切割工艺。

发明内容

根据发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括基底、第一绝缘夹层结构、第一导电结构、第二绝缘夹层、第一过孔和第一布线。基底可以包括芯片区域和围绕芯片区域的划道区域。划道区域可以具有彼此相对的第一边缘和彼此相对的第二边缘。每个第一边缘可以在第一方向上延伸，每个第二边缘可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第一绝缘夹层结构可以形成在基底的划道区域上，并且可以包括低k介电材料。第一导电结构可以形成在基底的划道区域的与一个第一边缘邻近的部分上。每个第一导电结构可以在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上延伸穿过第一绝缘夹层结构，并且可以在第一方向上延伸。第二绝缘夹层可以形成在第一绝缘夹层结构上，并且可以包括其介电常数比第一绝缘夹层结构的介电常数大的材料。第一过孔均可以在第一方向上延伸且穿过第二绝缘夹层以接触一个第一导电结构。第一布线可以公共地接触第一过孔的上表面。

根据发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括基底、接触插塞、导电结构和第二布线。基底可以包括芯片区域和围绕芯片区域的划道区域。划道区域可以具有彼此相对的第一边缘和彼此相对的第二边缘。每个第一边缘可以在第一方向上延伸，每个第二边缘可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。接触插塞可以形成在基底的划道区域上。导电结构可以在基底的划道区域的与一个第一边缘相邻的部分上形成在接触插塞上。导电结构可以包括在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上交替且重复堆叠的第一布线和第一过孔。第二布线可以公共地接触导电结构的上表面。每个第一布线和每个第一过孔可以在第一方向上延伸。