[发明专利]一种量子比特的调控方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010631891.6 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111738449A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 潘艳霞 申请(专利权)人: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号: G06N10/00 分类号: G06N10/00;G09B5/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合肥市高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种量子比特的调控方法及装置,方法包括:在终端界面显示半导体量子芯片的电极结构;其中,所述电极结构包括:源极、漏极、第一电极Barrier gate、第二电极Plunger gate;在所述源极和所述漏极间显示二维电子气;接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极的调控操作,基于所述二维电子气获得量子点;接收并响应用户输入的针对所述量子点的磁体磁场调节操作,以使所述量子点形成自旋量子比特。利用本发明实施例,供用户交互体验半导体量子芯片内部量子比特的调控过程,展示电极结构逻辑,以加深用户对量子计算的理解,并填补相关技术的空白。
搜索关键词: 一种 量子 比特 调控 方法 装置
【主权项】:
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