[发明专利]一种量子比特的调控方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010631891.6 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111738449A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 潘艳霞 申请(专利权)人: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号: G06N10/00 分类号: G06N10/00;G09B5/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合肥市高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 比特 调控 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种量子比特的调控方法,其特征在于,包括:

在终端界面显示半导体量子芯片的电极结构;其中,所述电极结构包括:源极、漏极、第一电极Barrier gate、第二电极Plunger gate;

在所述源极和所述漏极间显示二维电子气;

接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极的调控操作,基于所述二维电子气获得量子点;

接收并响应用户输入的针对所述量子点的磁体磁场调节操作,以使所述量子点形成自旋量子比特。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述源极和所述漏极间显示二维电子气,包括:

接收并响应用户输入的电极电场操控操作,在所述源极和所述漏极间对应生成并显示二维电子气。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极的调控操作,基于所述二维电子气获得量子点,包括:

接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极中第一特定电极的第一调控操作,基于所述二维电子气获得对应的一量子点。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极的调控操作,基于所述二维电子气获得量子点,包括:

接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极中第二特定电极的第二调控操作,基于所述二维电子气获得对应的两个或多个量子点。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述终端界面还显示所述半导体量子芯片的ESR线;

所述方法还包括:

接收并响应用户输入的、针对所述ESR线的微波操作,将所述自旋量子比特做翻转操作并显示所述自旋量子比特的第一自旋方向。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述终端界面的第一区域,显示所述源极和所述漏极间的势阱分布;

在基于所述二维电子气获得量子点时,基于所述势阱分布,显示所述量子点的能级分布;

在将所述自旋量子比特做翻转操作时,基于所述能级分布,显示所述自旋量子比特的第二自旋方向。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述终端界面的第二区域,显示所述第一电极和所述第二电极的电极电压信号。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述电极结构对应区域动态显示所述磁体磁场调节操作对应的磁场流向。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电极结构以3D建模的初始视角进行显示;

所述方法还包括:

接收并响应用户输入的移动操作,以对应视角显示所述电极结构;

接收并响应用户输入的复位操作,以初始视角显示所述电极结构。

10.一种量子比特的调控装置,其特征在于,包括:

第一显示模块,用于在终端界面显示半导体量子芯片的电极结构;其中,所述电极结构包括:源极、漏极、第一电极Barrier gate、第二电极Plunger gate;

第二显示模块,用于在所述源极和所述漏极间显示二维电子气;

调控模块,用于接收并响应用户输入的、针对所述第一电极和所述第二电极的调控操作,基于所述二维电子气获得量子点;

生成模块,用于接收并响应用户输入的针对所述量子点的磁体磁场调节操作,以使所述量子点形成自旋量子比特。

11.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,其中,所述计算机程序被设置为运行时执行所述权利要求1至9任一项中所述的方法。

12.一种电子装置,包括存储器和处理器,其特征在于,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行所述权利要求1至9任一项中所述的方法。

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