[发明专利]发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法在审
| 申请号: | 202010623630.X | 申请日: | 2020-06-30 | 
| 公开(公告)号: | CN113871553A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 | 
| 发明(设计)人: | 张晓远;孟虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云;刘蕾 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | 一种发光层图案化方法以及发光二极管器件的制备方法。该发光层图案化方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成第一电极层;在第一电极层上形成牺牲层;对牺牲层构图,以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层,在衬底基板上的第二区域中保留牺牲层,其中,第一电极层至少部分位于第一区域中;在第一区域和第二区域中形成第一载流子辅助层;在第一载流子辅助层上形成发光层;和去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层,并且在第一区域中保留第一载流子辅助层和发光层,以对发光层图案化。还提供了一种发光二极管器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词: | 发光 图案 方法 发光二极管 器件 制备 | ||
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H01L51-52 ..器件的零部件
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