[发明专利]发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法

说明书

一种发光层图案化方法以及发光二极管器件的制备方法。该发光层图案化方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成牺牲层；对牺牲层构图，以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层，在衬底基板上的第二区域中保留牺牲层，其中，第一电极层至少部分位于第一区域中；在第一区域和第二区域中形成第一载流子辅助层；在第一载流子辅助层上形成发光层；和去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层，并且在第一区域中保留第一载流子辅助层和发光层，以对发光层图案化。还提供了一种发光二极管器件的制备方法。

技术领域

本公开的实施例涉及发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)是一种常用的发光器件，其通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。例如，发光二极管可包括但不限于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED) 和量子点发光二极管(Quantum Dots LightEmitting Diode，QLED)等。

量子点是一种可以把激子在三维空间上束缚住的半导体纳米材料。由于其具有高的量子效率、窄的激发光谱、很高的光稳定性，较长的荧光寿命以及良好的溶液加工兼容性等优异特性,在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。量子点发光二极管是以量子点作为发光材料的器件，与液晶显示器件相比，色域更高，色彩显示效果更佳，与有机发光二极管 (OLED)相比也有一定的优越性，所以量子点发光器件有望成为重要的下一代显示技术。

近些年来，随着量子点材料性能的不断提升，以及电致发光器件的不断优化，无论是在效率方面，还是在发光的寿命方面，都已经取得了很大的进展。截止到目前，红色量子点发光器件最高效率已经超过40cd/A，绿色器件超过120cd/A，蓝色器件也已经超过17cd/A。在寿命方面，红色量子点器件在100nits下的寿命T50已经达到220万小时，未来随着材料性能的进一步提升，量子点发光技术必然会有更好的发展。

发明内容

本公开至少一实施例提供了一种发光层图案化方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成牺牲层；对牺牲层构图，以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层，在衬底基板上的第二区域中保留牺牲层，其中，第一电极层至少部分位于该第一区域中；在第一区域和第二区域中形成第一载流子辅助层；在第一载流子辅助层上形成发光层，其中该发光层至少在第一区域中通过该第一载流子辅助层与第一电极层耦接；去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层，并且在第一区域中保留第一载流子辅助层和发光层，以对该发光层图案化。

在一些实施例中，所述发光层图案化方法还包括：在于衬底基板上形成第一电极层之后以及在于该第一电极层上形成牺牲层之前，在衬底基板以及第一电极层上形成像素定义层，其中，该像素定义层包括至少一个像素定义开口，该至少一个像素定义开口至少部分暴露第一电极层，且第一区域与该至少一个像素定义开口至少部分重叠。

在一些实施例中，所述对牺牲层构图包括：在牺牲层上形成第一光刻胶层，对该第一光刻胶层进行曝光和显影，以在第一区域中去除第一光刻胶层，在第二区域中保留第一光刻胶层，以得到第一光刻胶图案，使用该第一光刻胶图案对于牺牲层构图，以在衬底基板上的第一区域中去除牺牲层；并且，所述去除位于第二区域中的保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层包括：随第二区域中保留的牺牲层以及覆盖在该保留的牺牲层上的第一载流子辅助层和发光层一并去除在第二区域中保留的第一光刻胶层。

在一些实施例中，所述使用第一光刻胶图案对于牺牲层构图包括：使用第一光刻胶图案通过干法刻蚀对牺牲层构图。

在一些实施例中，所述发光层为量子点层。