[发明专利]一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器及测量方法在审
| 申请号： | 202010619255.1 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111765841A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 欧阳勇;杨超;张朝坤;刘毅;胡军 | 申请（专利权）人： | 清华四川能源互联网研究院;清华大学 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 610213 四川省成都市天*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器及测量方法，包括传感单元、激励单元，所述传感单元包括固定法兰、长度调节件、电路容纳件、电路板；所述电路板包括巨磁阻芯片、处理芯片，巨磁阻芯片位于电路板中间，电路板设置在电路容纳件底部中间；所述激励单元包括磁条、上壳体，所述磁条固定于上壳体底部的中间；所述传感单元安装到待测转轴的轴向外侧的固定壁上，所述激励单元安装在待测转轴的一端头部，安装后的传感单元与激励单元处于同一轴心。该基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器具有灵敏度突出、测量精度高、使用寿命长的特点，并且防护等级更高、使用功耗更低、体积更小、价格也较便宜，适合于广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 效应 接触角 位移 传感器 测量方法 | ||
【主权项】：
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