[发明专利]一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器及测量方法在审
申请号: | 202010619255.1 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN111765841A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 欧阳勇;杨超;张朝坤;刘毅;胡军 | 申请(专利权)人: | 清华四川能源互联网研究院;清华大学 |
主分类号: | G01B7/30 | 分类号: | G01B7/30 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 韩雪 |
地址: | 610213 四川省成都市天*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 磁阻 效应 接触角 位移 传感器 测量方法 | ||
1.一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:包括传感单元(1)、激励单元(2);所述传感单元(1)为圆柱体中空结构,在传感单元(1)的顶端内底部中间位置设有一个巨磁阻芯片(7);所述激励单元(2)为一端开口的圆柱体中空结构,在激励单元(2)的密封端内底部中间位置固定有一根磁条(13),激励单元(2)的开口端设有一个转轴连接腔(14)。
2.如权利要求1所述的基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:所述传感单元(1)包括固定法兰(3)、长度调节件(4)、电路容纳件(5)、电路板(6);所述固定法兰(3)底部设有三个连接固定孔(12),由长螺钉通过三个连接固定孔(12)依次将固定法兰(3)、长度调节件(4)和电路容纳件(5)连接固定。
3.如权利要求2所述的基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:所述电路板(6)包括处理芯片(8)和所述巨磁阻芯片(7);所述巨磁阻芯片(7)与处理芯片(8)及电路板(6)上相关器件电路连接,形成传感电路;所述电路容纳件(5)的顶端内底部中间设有一个电路容纳腔(9);所述电路板(6)通过螺钉连接固定在电路容纳件(5)的顶端内底部,电路板(6)上的传感电路置于电路容纳腔(9)内。
4.如权利要求3所述的基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:所述长度调节件(4)的侧壁靠近固定法兰(3)一端开有一个出线孔(10),外部控制线缆通过出线孔(10)与电路板(6)上的传感电路连接。
5.如权利要求4所述的基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:所述传感单元(1)和激励单元(2)的所有构件及元器件均采用封装胶进行灌封。
6.如权利要求5所述的基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器,其特征在于:所述磁条(13)为径向磁化的长方体、圆柱体或者环体状永磁体;所述固定法兰(3)、长度调节件(4)、电路容纳件(5)和激励单元(2)均用非导磁材料制成。
7.一种如权利要求1至6任一项所述角位移传感器的测量方法,其特征在于:所述巨磁阻芯片(7)为双轴巨磁阻芯片,当所述激励单元(2)在待测转轴的带动下旋转时,在巨磁阻芯片(7)的X轴、Y轴方向分别产生Vx和Vy输出电压,经处理芯片(8)计算可得出角位移α的值为0~360°,其计算如式①、②和③所示:
Vx=V0sinα ①
Vy=V0cosα ②
由①、②可得:
其中,V0为输入初始电压值。
8.如权利要求7所述的角位移传感器的测量方法,其特征在于:在所述电路板(6)上或外部设有一个温度传感器,温度传感器与处理芯片(8)电路连接;所述处理芯片(8)计算角位移值时,将所述温度传感器捕获的当前温度值带入校准曲线一并计算,对角位移的温漂进行校正,输出校正后的角位移值。
9.如权利要求8所述的角位移传感器的测量方法,其特征在于:所述校准曲线采用零点漂移曲线或输出漂移曲线;所述零点漂移曲线是将角位移传感器置于温箱中并设置为初始0°状态,改变温度,记录在所述温度传感器捕获的不同温度下的输出角位移值,得到一组温度与角位移对应的序列,对该序列拟合,从而得到不同温度下的零点漂移曲线;所述输出漂移曲线是将角位移传感器置于温箱中,改变温度,在不同温度下让角位移传感器的激励单元(2)旋转,记录在所述温度传感器捕获的不同温度下的输出角位移值,得到一组温度与角位移对应的序列,对该序列拟合,从而得到不同温度下的输出漂移曲线。
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