[发明专利]N型电池正面SE结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010619097.X | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111739958A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 瞿辉;曹玉甲;杨松波;张强;袁玲;杨三川 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种N型电池正面SE结构的制备方法，具体为在制绒后的N型硅片上生长一层氧化层，然后按照细栅线的图形位置在氧化层上利用激光进行开槽，再进行硼扩散，后续则进行常规电池制备流程后，在开槽处印刷金属电极。由于氧化层对于硼扩散具有一定的阻挡作用，因此在硼扩散过程中，氧化层覆盖区掺杂浓度较低，可形成浅掺杂区；而开槽处则无氧化层或氧化层极薄，则形成重掺杂区，从而形成硼扩散面SE结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 正面 se 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏顺风光电科技有限公司，未经江苏顺风光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010619097.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
