[发明专利]N型电池正面SE结构的制备方法在审
| 申请号: | 202010619097.X | 申请日: | 2020-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN111739958A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
| 发明(设计)人: | 瞿辉;曹玉甲;杨松波;张强;袁玲;杨三川 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱晓凯 |
| 地址: | 213123 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池 正面 se 结构 制备 方法 | ||
1.一种N型电池正面SE结构的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
S1:制绒;
S2:氧化:在硅片表面生长一层60-80nm的氧化层;
S3:激光开槽:按照细栅线的图形位置在氧化层上进行激光开槽,使对应的氧化层消融,同时在消融后的硅表面在激光热量作用下形成一个厚度在5-7nm的热氧化层;
S4:硼扩散。
2.根据权利要求1所述的N型电池正面SE结构的制备方法,其特征在于:步骤S2中所述氧化层厚度为70-75nm。
3.根据权利要求1所述的N型电池正面SE结构的制备方法,其特征在于:步骤S3中所述激光开槽采用激光器进行,所述激光器功率控制在12-14W。
4.根据权利要求1所述的N型电池正面SE结构的制备方法,其特征在于:步骤S4中所述硼扩散的扩散温度控制在950℃-980℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏顺风光电科技有限公司,未经江苏顺风光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010619097.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





