[发明专利]一种SiOx有效

专利信息
申请号: 202010613053.6 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111717921B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 袁方利;杨宗献;金化成;侯果林;丁飞;杜宇 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C01B33/113 分类号: C01B33/113;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京博智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11929 代理人: 尹春雷
地址: 100089 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种SiOx纳米线及其制备方法和作为锂离子电池负极的应用,属于锂离子电池技术领域。SiOx纳米线中硅元素与氧元素均匀分布,硅作为活性物质,占主导储锂作用;硅氧化合物作为基质,起缓冲作用。制备方法包括以下步骤:1、利用球磨制备Si‑O前驱体。2、以上述前驱体为原料,采用高频热等离子体一步法制备SiOx纳米线。高频热等离子具有无电极加热、高温、速冷的特性,制备的SiOx纳米线直径、长度分布均匀,分散性好,纯度高。等离子体制备SiOx纳米线工艺简单,成本低,并可大规模连续化生产。本发明制备的SiOx线作为锂离子电池负极材料,体积膨胀小,结构稳定;容量衰减低,循环性能好。
搜索关键词: 一种 sio base sub
【主权项】:
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