[发明专利]一种SiOx

权利要求书

1.一种制备SiO_x纳米线的方法，包括以下步骤：

1）利用球磨制备Si-O前驱体；所选Si-O前驱体为Si、SiO和SiO₂中的一种或几种的组合，其比例为(0-10) : (0-10) : (0-10)； 所述的Si-O前驱体中，其O与Si的原子比介于[0.5,1.5]之间；

2）利用热等离子体技术制备SiO_x纳米线，具体包括以下步骤：

① 热等离子体发生装置产生稳定的热等离子；

② 通过载气将原料输送至热等离子体区域：其进料速率为0.1~50 g/min，载气流量为0~10 m³/h；

③ 原料在等离子区域气化、反应、冷凝，并在形貌调控器中生长为SiO_x纳米线；

④ SiO_x在气体输送下进入产物收集系统。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1）所述经球磨得到的混合粉中，颗粒粒径为0.5~10 μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤②所述的进料速率为0.5~30 g/min，载气流量为1~5 m³/h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤①所述的热等离子功率为1 kw~200kw。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤①所述的热等离子功率为5 kw~100kw。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤②所述的载气选自氩气、氢气、氩气和氢气混合气体、氩气和氧气混合气体四种气体组合中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤③所述的形貌调控器为石墨内衬调控器，能够强化热等离子体高温区，调控温度梯度，延长低温区SiO_x生长时间。