[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010609729.4 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111933686B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈芳林;徐焕新;陈勇民;操国宏;蒋谊;潘学军;邹平;孙永伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/744;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了标准型GCT芯片在过电压阻断状态时容易在芯片台面终端处失效，导致器件失效呈开路状态的问题。包括功能区和电压击穿区，电压击穿区靠近功率半导体器件的中心位置，被功能区环绕，包括依次层叠设置的第二导电类型短路结构和凸形第二导电类型基区，第二导电类型短路结构贯穿功能区的第一导电类型透明发射阳极和第二导电类型缓冲层；凸形第二导电类型基区贯穿第一导电类型第一基区、第一导电类型第二基区和第二导电类型区，在第二导电类型基区向第一导电类型基区的延伸方向上形成凸起部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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