[发明专利]一种太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 202010605024.5 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111668344B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 金井升;张昕宇;王东 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘翠香 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；对所述硅片进行磷扩散，在所述目标沉积面上得到掺磷多晶硅层，在所述非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内；去除所述绕镀区域。上述太阳能电池的制作方法，能够避免去绕镀过程中产生过刻的现象，提高电池的合格率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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