[发明专利]一种太阳能电池的制作方法

说明书

本申请公开了一种太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；对所述硅片进行磷扩散，在所述目标沉积面上得到掺磷多晶硅层，在所述非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内；去除所述绕镀区域。上述太阳能电池的制作方法，能够避免去绕镀过程中产生过刻的现象，提高电池的合格率，节约生产成本。

技术领域

本发明属于光伏设备技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制作方法。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池现在成为了光伏行业的一个热点，Topcon电池的制备需要用到非晶硅或多晶硅沉积技术，非晶硅或多晶硅沉积一般采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积法)设备，在LPCVD过程中，除了在硅片的一个面(目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅之外，还会在硅片的另一个面(非目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅，这就是行业所称的“绕镀”，这个非目标沉积面也被称为“绕镀面”，如果不去除非晶硅或多晶硅的绕镀，会影响电池的效率和良率。

在常见的TOPCon电池的制作流程中，在目标沉积面沉积了本征非晶硅或本征多晶硅后，还要在目标沉积面上进行磷扩散，以形成掺杂多晶硅层，这种磷扩散过程也会出现“绕扩”的现象，磷扩的绕扩原理和非晶硅或多晶硅的绕镀原理是一样的：除了在硅片的一个面(目标扩散面)扩散了磷之外，还会在硅片的另一个面(非目标扩散面)扩散磷，此处，目标沉积面即为目标扩散面。一般会在磷扩散以后进行去绕镀工艺，以去除原来绕镀的非晶硅或多晶硅层(经过磷扩散的高温作用，本征非晶硅在有磷扩散的区域变成了掺杂多晶硅，在没有磷扩散的区域变成了本征多晶硅)。

去绕镀一直是阻碍Topcon量产的主要问题，现有的去绕镀的方法包括酸式去绕镀法和碱式去绕镀法。其中，在酸式去绕镀法中，将绕镀面单面放置于HF/HNO₃溶液中，HNO₃溶液将多晶硅氧化成SiO₂，然后HF与SiO₂反应生成SiF₄，溶解在溶液里，从而实现多晶硅的去除，但同时不破坏绕镀面的原有结构，包括形貌和硼扩散层等。在碱式去绕镀法中，先将绕镀面单面放置于HF中去除多晶硅表面经磷扩散形成的PSG，保留非绕镀面的PSG(即目标沉积面)，然后将硅片浸没在KOH和添加剂的混合溶液中与多晶硅反应，添加剂的作用是减缓KOH与目标沉积面的PSG反应，而在绕镀面KOH生成K₂SiO₃，溶解在溶液里，实现多晶硅的去除，但同时不破坏绕镀面的原有结构，包括形貌和硼扩散层等，碱也可以采用TMAH(四甲基氢氧化铵)等有机碱替代。

酸式去绕镀法容易较为干净的去除绕镀的多晶硅层，但容易在绕镀面的四周产生过刻现象，这就破坏了绕镀面的原有结构，这个原有结构包括形貌和硼扩散层等，影响成品电池片的良率，过刻的程度与非晶硅或多晶硅的绕镀面积和磷扩的绕扩面积有关系，在绕镀面(即绕扩面)上，当磷扩的绕扩面积大于多晶硅的绕镀面积时，磷扩的反应气体与多晶硅边缘处的正面BSG(经硼扩散形成)接触，并发生反应，使其在去绕镀过程中被去除的速度大于多晶硅的去除速度，结果产生过刻。碱式去绕镀法在去绕镀过程中不能有效的去除多晶硅，造成绕镀面上多晶硅斑点状的残留，同样会影响成品电池片的良率，同时也存在过刻的风险。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种太阳能电池的制作方法，能够避免去绕镀过程中产生过刻的现象，提高电池的合格率，节约生产成本。

本发明提供的一种太阳能电池的制作方法，包括：

对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；