[发明专利]半导体设备和半导体设备的除氧方法在审
| 申请号： | 202010603283.4 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113937028A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 左敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明公开了一种半导体设备和半导体设备的除氧方法，所述半导体设备包括：制程腔体、除氧管道和氧气检测装置，氧气检测装置包括氧气检测管路、转换球阀和氧传感器，氧气检测管路包括第一管路、第二管路和第三管路，第一管路、第二管路和第三管路并联设置且分别均与除氧管道和转换球阀相连，氧传感器设在第三管路上，转换球阀被构造成：在除氧阶段，转换球阀连通第一管路和第二管路，在氧气检测阶段，转换球阀连通第一管路和第三管路。根据本发明实施例的半导体设备，能够避免残留的高氧浓度气体流向氧传感器而使得机台发出警报，也可避免高氧浓度气体流经氧传感器而加速氧传感器的老化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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