[发明专利]具有沟槽栅的IGBT器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010594542.1 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111785627B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;陈冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有沟槽栅的IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成沟槽；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述沟槽的底部和侧壁；利用多晶硅分两次填充所述沟槽，填充后的沟槽上层位置中间形成预定宽度的间隙；所述预定宽度等于经过氧化工艺处理后沟槽内多晶硅氧化增加的厚度；形成IGBT器件的基极区、源区和集电区；解决了现有的IGBT的沟槽栅顶部容易出现空洞、缝隙等现象，影响IGBT器件的阈值电压稳定性的问题；达到了避免沟槽栅顶部对沟道的挤压，实现短沟道IGBT的量产，提升IGBT器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
