[发明专利]一种基于冷阴极的离子中和器有效
| 申请号： | 202010589321.5 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111734593B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 袁学松;崔仲韬;鄢扬;李海龙;王彬;殷勇;蒙林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于真空电子领域，具体提供一种基于冷阴极的离子中和器，用于中和离子推进器中的过剩正离子。本发明基于冷阴极的离子中和器包括：左阴极1、右阴极2、中心阳极3、介质支承层4及阳极外壳5，左阴极与右阴极关于中心阳极对称设置、且三者均设置于介质支承层上，阳极外壳包覆于介质支承层外、且顶面开设U型孔，左阴极与右阴极的斜侧棱上设置纳米冷阴极发射面。本发明采用了冷阴极作为发射源，极大程度上减小了器件的复杂性、能耗、体积和重量；同时，本发明的结构设计及电压的调节保证了电子束的完全出射而无需外加磁场的聚束；综上，本发明结构简单、能耗低，能够保证阴极产生的电子完全通过阳极外壳的开孔出射，并充分与正离子流中和。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阴极 离子 中和 | ||
【主权项】：
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