[发明专利]非挥发性存储器结构

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器结构，包括基底、选择栅极、控制栅极与电荷存储结构。在基底中具有沟槽。选择栅极设置在沟槽中。控制栅极设置在沟槽中，且位于选择栅极上。电荷存储结构设置在控制栅极与选择栅极之间以及控制栅极与基底之间。电荷存储结构包括氮化物层、第一氧化物层与第二氧化物层。氮化物层设置在选择栅极上与沟槽的两侧壁上。氮化物层为连续结构。第一氧化物层设置在氮化物层与选择栅极之间。第二氧化物层设置在控制栅极与氮化物层之间。