[发明专利]非挥发性存储器结构在审
申请号: | 202010572228.3 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN113675208A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 赵容崧;廖宏魁;刘振强 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挥发性 存储器 结构 | ||
1.一种非挥发性存储器结构,其特征在于,包括:
基底,其中在所述基底中具有沟槽;
选择栅极,设置在所述沟槽中;
控制栅极,设置在所述沟槽中,且位于所述选择栅极上;以及
电荷存储结构,设置在所述控制栅极与所述选择栅极之间以及所述控制栅极与所述基底之间,且包括:
氮化物层,设置在所述选择栅极上与所述沟槽的两侧壁上,其中所述氮化物层为连续结构;
第一氧化物层,设置在所述氮化物层与所述选择栅极之间;以及
第二氧化物层,设置在所述控制栅极与所述氮化物层之间。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中所述选择栅极的材料包括掺杂多晶硅。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中所述控制栅极具有突出于所述基底的顶面的突出部。
4.如权利要求3所述的非挥发性存储器结构,其中所述突出部的最大宽度大于所述沟槽的最大宽度。
5.如权利要求3所述的非挥发性存储器结构,还包括:
间隙壁,设置在所述突出部的侧壁上。
6.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构,其中所述间隙壁为单层结构。
7.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构,其中所述间隙壁为多层结构。
8.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中部分所述控制栅极位于所述基底的顶面上。
9.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中所述控制栅极的剖面形状包括T形。
10.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中所述控制栅极的材料包括掺杂多晶硅。
11.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中所述电荷存储结构共形地设置在所述沟槽的两侧壁上与所述选择栅极的顶面上。
12.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,其中部分所述电荷存储结构位于所述基底的顶面上。
13.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,还包括:
介电层,设置在所述选择栅极与所述基底之间。
14.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构,还包括:
第一掺杂区,位于所述沟槽下方的所述基底中;以及
第二掺杂区,位于所述沟槽的一侧的所述基底中。
15.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构,其中部分所述第一掺杂区位于所述选择栅极两侧的所述基底中,且所述第一掺杂区的顶部低于所述选择栅极的顶面。
16.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构,还包括:
第三掺杂区,位于所述沟槽的另一侧的所述基底中。
17.如权利要求16所述的非挥发性存储器结构,还包括:
阱区,位于所述基底中,其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区与所述第三掺杂区位于所述阱区中。
18.如权利要求17所述的非挥发性存储器结构,其中所述阱区的导电型不同于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区与所述第三掺杂区的导电型。
19.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构,还包括:
第一轻掺杂漏极,位于所述第二掺杂区与所述控制栅极之间的所述基底中;以及
第二轻掺杂漏极,位于所述第三掺杂区与所述控制栅极之间的所述基底中。
20.如权利要求19所述的非挥发性存储器结构,其中所述第一轻掺杂漏极与所述第二轻掺杂漏极的导电型同于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的