[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010564522.X | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112117246A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 青池将之 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合高散热性、高输出、高集成化的半导体装置及其制造方法。半导体装置(110)具备：基板(1)，在上表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及外部连接用的导体柱凸块(PB)，设置在该基板(1)上与电极或者电路元件(21)接触并电连接。基板(1)包含第一基材(10)、和配置在该第一基材(10)上的第二基材(20)，电路元件(21)以及电极形成于第二基材(20)，第一基材(10)的热阻比第二基材(20)的热阻低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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