[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，在表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及

外部连接用的导体突起部，设置在上述基板上，与上述电路元件或者上述电极连接，

上述基板包含：第一基材、以及配置在该第一基材上且材料与上述第一基材不同的第二基材，

上述电路元件以及上述电极形成于上述第二基材，

上述第一基材的热传导率比上述第二基材的热传导率高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第一基材是元素半导体的基材，

上述第二基材是化合物半导体的基材。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第二基材比上述第一基材薄。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是在动作时发热的发热体，上述导体突起部设置在作为上述发热体的上述电路元件的附近。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第二基材不从上述第一基材的外边缘突出。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第一基材与上述第二基材之间，具备接合上述第一基材和上述第二基材的接合层，

上述接合层是热传导率比上述第二基材高的金属。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

上述接合层的弹性率比上述第二基材的弹性率低。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，

在上述接合层与上述第二基材之间形成有上述接合层与上述第二基材的合金化层。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第一基材与上述第二基材之间，具备接合上述第一基材和上述第二基材的接合层，

上述接合层是介电常数比上述第二基材低的电介质。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

上述接合层的弹性率比上述第二基材的弹性率低。

11.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第一基材与上述第二基材之间，具备接合上述第一基材和上述第二基材的接合层，

上述接合层是电阻率比上述第一基材高的绝缘体。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

上述接合层的热传导率比上述第一基材的热传导率高。

13.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第一基材与上述第二基材之间，具备接合上述第一基材和上述第二基材的接合层，

上述接合层是包含绝缘体层和金属层的复合材料层。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

上述第一基材是Si基材，

上述绝缘体层是Si化合物层。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

上述绝缘体层的至少一部分是树脂。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第一基材的不与上述第二基材重叠的位置的表面形成第一基材侧电极，

上述导体突起部与上述第一基材侧电极连接。

17.一种半导体装置的制造方法，

上述半导体装置具备：基板，在表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及外部连接用的导体突起部，设置在该基板上，与上述电路元件或者上述电极接触并电连接，上述基板包含：第一基材以及配置在该第一基材上的第二基材，上述电路元件以及上述电极形成于上述第二基材，

上述半导体装置的制造方法具有：

将在表面具有上述电路元件以及上述电极的半导体薄膜隔着剥离层形成于化合物半导体基材的工序；

通过蚀刻除去上述剥离层来将上述半导体薄膜从上述化合物半导体基材剥离的工序；

将构成上述第二基材的上述半导体薄膜接合在构成上述第一基材的元素半导体基材上的规定位置的工序；以及

形成外部连接用的导体突起部的工序，其中上述外部连接用的导体突起部设置在上述第二基材上，并与上述电路元件或者上述电极连接。