[发明专利]半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 202010558034.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113823676B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李翔;陈鼎龙 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L23/538;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括介电结构、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、氧化物半导体层、栅极介电层以及第一栅极。第一源极/漏极电极设置于介电结构之内。氧化物半导体层于垂直方向上设置于第一源极/漏极电极上。第二源极/漏极电极于垂直方向上设置于氧化物半导体层上。栅极介电层设置于介电结构上且于水平方向上围绕氧化物半导体层。栅极介电层包括第一部分与第二部分。第一部分沿水平方向延伸。第二部分设置于第一部分上且沿垂直方向延伸。第一栅极设置于栅极介电层的第一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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