[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

介电结构；

第一源极/漏极电极，设置于该介电结构之内；

氧化物半导体层，在一垂直方向上设置于该第一源极/漏极电极上；

第二源极/漏极电极，在该垂直方向上设置于该氧化物半导体层上；

栅极介电层，设置于该介电结构上且于一水平方向上围绕该氧化物半导体层，其中该栅极介电层包括：

第一部分，沿该水平方向延伸；以及

第二部分，设置于该第一部分上且沿该垂直方向延伸；以及

第一栅极，设置于该栅极介电层的该第一部分上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的一部分于该水平方向上设置于该第一栅极与该氧化物半导体层之间，且该栅极介电层的该第一部分的一部分于该垂直方向上设置于该第一栅极与该介电结构之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的上表面于该垂直方向上高于该栅极介电层的该第一部分的上表面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极设置于该栅极介电层的该第一部分的上表面上，且该第一栅极的上表面于该垂直方向上低于该栅极介电层的该第二部分的上表面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极设置于该栅极介电层的该第一部分的一上表面上，且该第一栅极的上表面与该栅极介电层的该第二部分的上表面共平面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二栅极，设置于该栅极介电层的该第一部分上，其中该第一栅极与该第二栅极设置于该氧化物半导体层的相对两侧，且该第一栅极与该第二栅极互相分离。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的一部分于该水平方向上设置于该第一栅极与该氧化物半导体层之间，且该栅极介电层的该第二部分的另一部分于该水平方向上设置于该第二栅极与该氧化物半导体层之间。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第一部分的一部分于该垂直方向上设置于该第一栅极与该介电结构之间，且该栅极介电层的该第一部分的另一部分于该垂直方向上设置于该第二栅极与该介电结构之间。

9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

介电层，设置于该介电结构以及该第一源极/漏极电极上，其中该介电层于该垂直方向上设置于该介电结构与该栅极介电层之间，且该氧化物半导体层于该垂直方向上贯穿该介电层。

10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

半导体基底，其中该介电结构设置于该半导体基底上；以及

互连结构，其中该互连结构的至少一部分设置于该介电结构之内，且该第一源极/漏极电极与该互连结构电连接。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该互连结构于该垂直方向上贯穿该栅极介电层的该第一部分。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化物半导体层包括：

第一层；以及

第二层，设置于该第一层上，其中该第一层的一部分于该垂直方向上设置于该第二层与该第一源极/漏极电极之间，且该第一层的另一部分在该水平方向上设置于该第二层与该栅极介电层之间。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一层的材料组成不同于该第二层的材料组成。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一层于该氧化物半导体层的剖面中具有U型结构。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极于该水平方向上围绕该氧化物半导体层以及该栅极介电层。