[发明专利]基于源极应力层的GaN器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010551243.X | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111446169A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的基于源极应力层的GaN器件及制备方法，通过位于源极及栅极之间的SiN张应力层，引入外部应力，以调节GaN沟道层内的二维电子气，从而可降低势垒层中的Al或In组分的含量及势垒层的厚度，以降低制备工艺难度；通过将SiN张应力层仅置于源极及栅极之间的源极输入区，可只在源极输入区引入应力，增强源极输入区的二维电子气，提高GaN器件的电学性能，且可避免SiN张应力层全覆盖势垒层所造成的栅极区域的阈值电压变化，以及漏极区域所造成的耐压变化；SiN张应力层可直接在购置的常规外延片上通过进一步的加工制备，提高了操作便捷性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应力 gan 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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