[发明专利]功率半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010534307.5 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086512A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | H-J.特斯;S.勒施;M.普罗布斯特;T.里希特;O.施托尔贝克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/332;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国德累*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括用于控制负载电流的控制单元，控制单元在一侧上电连接到功率半导体器件的第一负载端子结构并在另一侧上电连接到功率半导体器件的漂移区，漂移区包括第一导电类型的掺杂剂。控制单元包括：‑台面，其沿着竖直方向延伸并且包括：接触区，其具有第一导电类型的掺杂剂或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂，并且电连接到第一负载端子结构；以及沟道区，其耦合到漂移区；‑控制电极，其被配置用于在沟道区中引起传导沟道；以及‑接触插塞，其包括掺杂半导体材料，接触插塞被布置成与接触区接触，其中，通过接触插塞建立接触区与第一负载端子结构之间的电连接，并且其中接触插塞的一部分突出超过台面的横向边界。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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