[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010534238.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809206A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朱丹丹;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构。图形化的掩膜层能够提高第一DBR结构的生长质量，并且有利于后续发光结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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