[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010534238.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809206A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朱丹丹;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备缓冲层；
在所述缓冲层上制备掩膜层；
图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；
在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；
在所述第一DBR结构上制备发光结构；以及
在所述发光结构上制备第二DBR结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层后，先部分刻蚀被所述掩膜层露出的所述缓冲层，以在所述缓冲层中形成凹槽，再在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述缓冲层中形成凹槽后，先在所述凹槽的侧壁制备掩膜层，然后在再在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，衬底包括硅、蓝宝石、氮化镓、碳化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括氧化硅、氮化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述缓冲层、所述第一DBR结构、所述发光结构包括Ⅲ族氮化物材料，所述第二DBR结构包括Ⅲ族氮化物材料、介质材料。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的图形化的掩膜层；
位于所述缓冲层上及位于所述掩膜层之间的第一DBR结构；以及
位于所述第一DBR结构之上的发光结构。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述第一DBR结构延伸至所述缓冲层中。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述第一DBR结构延伸至所述缓冲层的部分与缓冲层之间设有掩膜层。
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