[发明专利]半导体装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010531041.9 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111640758A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 冯立伟 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 霍文娟
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括一基底、多个第一图案以及多个第二图案。多个第一图案与多个第二图案系设置在基底上,第一图案与第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置。第一图案与第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧,各第一图案的第一侧具有一第一凸出部,各第二图案的第二侧具有一第二凸出部,且第一凸出部的面积不同于第二凸出部的面积。该半导体装置内的特定图案布局相对密集且尺寸相对微小,有利于配合后续组件的制作工艺,且提供充足的制作空间。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
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