[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基底；以及

多个第一图案与多个第二图案，设置在所述基底上，所述第一图案与所述第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置，所述第一图案与所述第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各所述第一图案的所述第一侧具有一第一凸出部，各所述第二图案的所述第二侧具有一第二凸出部，且所述第一凸出部的面积不同于所述第二凸出部的面积。

2.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述第一凸出部的形状不同于各所述第二凸出部。

3.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第一凸出部的间距大于相邻的所述第一图案与所述第二图案之间的间距。

4.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第二凸出部的间距大于相邻的所述第一图案与所述第二图案之间的间距。

5.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第一图案的所述第二侧彼此切齐。

6.依据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，各所述第一图案的所述第二侧不重叠于所述第二图案的所述凸出部。

7.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一图案的所述凸出部的部分重叠于所述第二图案的所述第一侧。

8.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一图案与所述第二图案设置在所述基底的一第一区域内，所述基底上还包括多个第三图案，相互平行且交替地沿着所述第一方向设置在一第二区域中。

9.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

多个字线设置在所述基底内，所述字线相互平行地沿着第二方向设置，所述第二方向垂直于所述第一方向。

10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

于所述基底上形成一材料层；以及

图案化所述材料层形成多个第一图案与多个第二图案，所述第一图案与所述第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置，所述第一图案与所述第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各所述第一图案的所述第一侧具有一第一凸出部，各所述第二图案的所述第二侧具有一第二凸出部，且所述第一凸出部的面积不同于所述第二凸出部的面积。

11.依据权利要求10项所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

于所述材料层上形成一第一掩膜层，所述第一掩膜层包括一开口以及多个掩膜图案，所述掩膜图案相互平行地沿着所述第一方向设置在所述开口内，其中，各所述掩膜图案的一侧具有一凸出部；

于所述第一掩膜层的侧壁上形成一侧壁层，形成在各所述凸出部上的所述侧壁层相互合并；

形成一第二掩膜层，填满所述第一掩膜层的所述开口；以及

利用所述第一掩膜层与所述第二掩膜层蚀刻所述材料层。

12.依据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述开口的两相对侧分别具有多个第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽连续并排于所述开口的第一侧，并对位于所述凸出部。

13.依据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽连续并排于所述开口的第二侧，各所述第二凹槽与各所述第一凹槽相互错位。

14.依据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的曲率不同于与所述第二凹槽的曲率。

15.依据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成在所述开口的所述侧壁上的所述侧壁层具有不同的厚度。