[发明专利]一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用射频磁控溅射，He与N2为溅射气体，溅射过程中通入H2作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H2掺杂量，可获得厚度在10纳米到100纳米的IOH薄膜；步骤如下：步骤1、将玻璃衬底依次放入Extran MA02中性清洗溶液、去离子水、异丙醇中各清洗5分钟；再一次将玻璃衬底依次放入Extran MA02中性清洗溶液、去离子水、异丙醇中，用超声波各清洗5分钟；步骤2、将风干的玻璃衬底放入射频磁控溅射装置中抽真空，真空度在1.0～5.0e‑5Pa范围内，通入He、N2为溅射气体、H2为掺杂源进行沉积，沉积到要求的厚度时取出，再放入到退火设备里面15～30分钟，冷却后取出基片。