[发明专利]一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法采用射频磁控溅射的方法，氦气He与氮气N₂为溅射气体，溅射过程中通入氢气H₂作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H₂掺杂量，可获得厚度在10纳米到100纳米的IOH薄膜；

具体操作步骤如下：

步骤1、将玻璃衬底依次放入Extran MA02中性清洗溶液、去离子水、异丙醇中各清洗5分钟；再一次将玻璃衬底依次放入Extran MA02中性清洗溶液、去离子水、异丙醇中，用超声波各清洗5分钟；

步骤2、将风干的玻璃衬底放入射频磁控溅射装置中抽真空，真空度在1.0e-5Pa～5.0e-5Pa范围内，通入He、N₂为溅射气体、H₂为掺杂源进行沉积，沉积到要求的厚度时取出，再放入到退火设备里面15～30分钟，冷却后取出基片；所述的H₂分压为0.1Pa～1.0Pa，He分压为0.1Pa～0.5Pa，N₂分压为0.1Pa～0.5Pa。

2.根据权利要求1所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述的退火设备温度为180℃～300℃。

3.根据权利要求1或2所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述的溅射功率密度为0.4W/cm²～1.0W/cm²。

4.根据权利要求1或2所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述的衬底温度为20℃-60℃。

5.根据权利要求1或2所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述的射频磁控溅射工艺采用的电源为射频(RF)电源。

6.根据权利要求1或2所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法采用纯度为99.99％的氧化铟靶材。

7.根据权利要求1或2所述的一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征在于：在沉积过程中的沉积温度为室温。

8.一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜，由权利要求1-7所述的制备方法制备得到。