[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010520444.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN112071907A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 宋宇彬;李相遇;赵珉熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思的方面提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过包括氧化物半导体层的晶体管中的源/漏工程来提高性能和可靠性。该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的金属氧化物层；源/漏图案，与金属氧化物层接触，并且包括从金属氧化物层的顶表面突出的部分；多个栅结构，设置在金属氧化物层上，使源/漏图案介于其间，并且每个栅结构包括栅间隔部和绝缘材料层，绝缘材料层与金属氧化物层接触，并且不沿着源/漏图案的顶表面延伸；以及设置在源/漏图案上的接触部，接触部连接到源/漏图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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