[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的金属氧化物层；

源/漏图案，所述源/漏图案与所述金属氧化物层接触，并且包括从所述金属氧化物层的顶表面突出的部分；

多个栅结构，所述多个栅结构设置在所述金属氧化物层上，使所述源/漏图案介于所述多个栅结构之间，并且每个所述栅结构包括栅间隔部和绝缘材料层，所述绝缘材料层与所述金属氧化物层接触，并且不沿着所述源/漏图案的顶表面延伸；以及

设置在所述源/漏图案上的接触部，所述接触部连接到所述源/漏图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括沿着栅结构的侧壁延伸的侧壁部分和沿着所述衬底的顶表面延伸的底部部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括下部源/漏图案和所述下部源/漏图案上的上部源/漏图案，以及

所述下部源/漏图案和所述上部源/漏图案具有彼此不同的材料和彼此不同的形状中的至少一项。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氧化物层包括在所述栅结构中的两个相邻的栅结构之间形成的源/漏凹槽，并且

所述源/漏图案的一部分填充所述源/漏凹槽。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括硅、硅锗、碳化硅、锗、氧化铟锡、氧化铟锌和InGaSiO中的至少一项。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括掺杂剂，并且

所述掺杂剂包括磷、砷、锑和硼中的至少一项。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘材料层包括依次堆叠在所述金属氧化物层上的第一顺电材料层和铁电材料层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：形成在所述源/漏图案上的源/漏图案衬层，所述源/漏图案衬层沿着所述栅间隔部中的相邻的栅间隔部延伸并且设置在所述栅间隔部中的所述相邻的栅间隔部和所述接触部之间，

其中，所述源/漏图案衬层包括绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案衬层包括蚀刻停止衬层和氢扩散阻止衬层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：掩埋衬层，所述掩埋衬层设置在所述金属氧化物层和所述衬底之间，所述掩埋衬层与所述金属氧化物层接触并且包括过渡金属。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氧化物层包括非晶金属氧化物、多晶金属氧化物及其组合中的一项。

12.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的金属氧化物层；

多个栅结构，所述多个栅结构彼此间隔开并设置在所述金属氧化物层上；

设置在所述栅结构之间的源/漏图案，所述源/漏图案连接到所述金属氧化物层并且包括元素半导体材料图案和IV族-IV族化合物半导体材料图案中的至少一项；以及

设置在所述源/漏图案上的接触部，所述接触部连接到所述源/漏图案。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案包括掺杂剂，并且

所述掺杂剂包括磷、砷、锑和硼中的至少一项。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述源/漏图案还包括导电氧化物图案，并且

所述导电氧化物图案包括氧化铟锡、氧化铟锌和InGaSiO中的至少一项。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述导电氧化物图案包括沿着栅结构的侧壁延伸的侧壁部分和沿着所述衬底的顶表面延伸的底部部分。