[发明专利]一种基于可靠性快速测试的晶体管阵列结构设计方法有效
| 申请号： | 202010518365.9 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111679170B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;应迪 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于可靠性快速测试的晶体管阵列结构设计方法，该方法采用金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管作为单管结构；对若干单管结构进行矩阵排列，分别做局部共用栅极和局部共用漏极的处理，将源极和衬底分别做全体公共连接，形成晶体管阵列结构，针对阵列结构进行可靠性测试。本发明使测试用的pad结构数量明显减少，晶圆的整体利用率得到显著提升，同时可以根据不同需求自由选择大片区域的器件进行测试，实现测试时间的优化利用，从根源上实现了测试周期的大幅缩短，达到快速测试的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 可靠性 快速 测试 晶体管 阵列 结构设计 方法 | ||
【主权项】：
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