[发明专利]存储单元阵列在审
| 申请号： | 202010512229.9 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112310145A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;于鸿昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储单元阵列，包括：多个存储单元；多条字线；多条位线；以及多条共用源极线。所述存储单元中的每一者包括：开关，所述开关的第一端子耦合到所述共用源极线中的一者，且所述开关的控制端子耦合到所述字线中的一者；存储元件，所述存储元件的第一端子耦合到所述开关的第二端子；以及负电阻器件，所述负电阻器件的第一端子耦合到所述存储元件的第二端子，且所述负电阻器件的第二端子耦合到所述位线中的一者。所述开关、所述存储元件及所述负电阻器件串联耦合。在所述存储单元阵列中进行读取操作期间，比所述负电阻器件的预定阈电压大的读取电压被施加到所述负电阻器件，以使所述负电阻器件进入负电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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