[发明专利]一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法有效

专利信息
申请号: 202010510585.7 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN111640687B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 陆静;闫宁;徐西鹏;吴晓磊;姜峰;赵延军;王宁昌;陈恩厚 申请(专利权)人: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;华侨大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/68
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 彭星
地址: 450001 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法,包括如下步骤:在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条,然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验,且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反,得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品,通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测,最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度,确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中,能够确定最优加工方向,减少崩边的尺寸,提高加工质量和晶圆的利用率。
搜索关键词: 一种 单晶晶圆 最优 划片 方向 确定 方法
【主权项】:
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