[发明专利]一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法有效
| 申请号： | 202010510585.7 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111640687B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陆静;闫宁;徐西鹏;吴晓磊;姜峰;赵延军;王宁昌;陈恩厚 | 申请（专利权）人： | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;华侨大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 彭星 |
| 地址： | 450001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶晶圆 最优 划片 方向 确定 方法 | ||
1.一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于，包括如下步骤：
a．选取单晶晶圆样品，在单晶晶圆样品的表面随机选取两个与单晶晶圆样品要加工的切削方向平行的两条线，分别作为正向测试条和反向测试条；
b．对单晶晶圆样品进行单颗磨粒划擦实验，即使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品；
c．通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测；
d．观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。
2.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤a中，单晶晶圆样品采用能用作衬底的单晶材料。
3.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤a中，要加工的切削方向是指单晶晶圆被做成芯片后芯片排布的特定划片方向。
4.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤b中，使用的磨料的硬度大于单晶晶圆样品的硬度。
5.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤b中，使用的磨料为被加工成的规则形状的压头。
6.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤b中，使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验时，保持划擦深度一致。
7.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤c中，所述的检测设备为表面形貌检测设备。
8.根据权利要求1所述的单晶晶圆最优划片方向的确定方法，其特征在于：在所述的步骤d中，观察两个划痕表面的裂纹形式和影响区的宽度具体为，先通过检测设备观察裂纹形式及影响区的宽度，然后通过检测设备对裂纹影响区的宽度进行测量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;华侨大学，未经郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;华侨大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
