[发明专利]基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法

摘要

本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。