[发明专利]基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法

权利要求书

1.一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一氧化硅片作为基底，在所述基底上设置疏水绝缘层，显影后疏水绝缘层露出部分的基底获得具有亲疏水性分布的图案化基底；

提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行所述双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；

分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的所述小分子溶液和所述PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；

利用双刮刀技术，将去离子水和所述混合溶液分别注入所述亲水性刮刀和疏水性刮刀，所述亲水性刮刀和疏水性刮刀先后进行刮涂以在所述图案化基底上，制备出所述二维分子晶体。

2.根据权利要求1所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述疏水绝缘层为全氟(1-丁烯基乙烯基醚)聚合物。

3.根据权利要求1所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述疏水性修饰采用OTDS疏水剂，所述亲水性修饰采用氧等离子体照射。

4.根据权利要求1所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述小分子溶液和所述PS溶液均以甲苯为溶剂。

5.根据权利要求4所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述小分子溶液中的小分子为diF-TES-ADT、C₈-BTBT和C₁₀-BTBT中的一种。

6.权利要求5所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述小分子溶液和所述PS溶液的浓度均为8mg/mL-12mg/mL。

7.根据权利要求5所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，所述小分子溶液和所述PS溶液以1:1至1:4的质量比混合。

8.根据权利要求1所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，提供一氧化硅片作为基底，在所述基底上设置疏水绝缘层，以在所述疏水绝缘层上获得具有亲疏水性分布的图案化基底的步骤包括：

在所述基底上旋涂所述疏水绝缘层；

在所述疏水绝缘层上蒸镀30nm-40nm厚的铜牺牲层；

利用光刻技术和RIE技术，在掩膜板的辅助下，刻蚀出具有方块沟槽的亲疏水性分布的所述图案化基底。

9.根据权利要求1所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，利用双刮刀技术，将去离子水和所述混合溶液分别注入所述亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在所述图案化基底上，制备出所述二维分子晶体的步骤包括：

在所述亲水性刮刀的前端注入去离子水；

在所述疏水性刮刀的后端注入所述混合溶液；

在所述图案化基底上进行刮涂，以制备出所述二维分子晶体。

10.根据权利要求9所述的基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，其特征在于，注入去离子水的量为2μL-4μL，注入所述混合溶液的量为1μL-3μL。