[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010499349.X | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111613665A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 章晋汉;张晓燕;胡凯;郝荣晖;马俊辉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、设置于所述衬底上且具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层、设置于所述第一氮化物半导体层上且具有第二能带间隙的第二氮化物半导体层。所述第二能带间隙大于所述第一能带间隙。所述半导体装置还包含位于所述第二氮化物半导体层上的闸极接触及设置于所述闸极接触上的第一场板。所述第一场板具有面对所述衬底的第一表面、面对所述衬底的第二表面、及凸出部。所述凸出部具有面对所述衬底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面与所述第二表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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