[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、设置于所述衬底上且具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层、设置于所述第一氮化物半导体层上且具有第二能带间隙的第二氮化物半导体层。所述第二能带间隙大于所述第一能带间隙。所述半导体装置还包含位于所述第二氮化物半导体层上的闸极接触及设置于所述闸极接触上的第一场板。所述第一场板具有面对所述衬底的第一表面、面对所述衬底的第二表面、及凸出部。所述凸出部具有面对所述衬底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面与所述第二表面之间。

技术领域

本申请涉及半导体装置及其制造方法，特别是关于具有场板之一射频半导体装置及其制造方法。

背景技术

包括直接能隙(direct bandgap)半导体之装置，例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-V compounds)之半导体装置，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。

上述半导体装置可包括异质接面双极晶体管(heterojunction bipolartransistor，HBT)、异质接面场效晶体管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high-electron-mobility transistor，HEMT)，或调变掺杂场效晶体管(modulation-doped FET，MODFET)等。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括衬底、设置于所述衬底上且具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层、设置于所述第一氮化物半导体层上且具有第二能带间隙的第二氮化物半导体层。所述第二能带间隙大于所述第一能带间隙。所述半导体装置还包含位于所述第二氮化物半导体层上的闸极接触及设置于所述闸极接触上的第一场板。所述第一场板具有面对所述衬底的第一表面、面对所述衬底的第二表面、及凸出部。所述凸出部具有面对所述衬底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面与所述第二表面之间。

本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括衬底、设置于所述衬底上且具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层、设置于所述第一氮化物半导体层上且具有第二能带间隙的第二氮化物半导体层。所述第二能带间隙大于所述第一能带间隙。所述半导体装置还包含位于所述第二氮化物半导体层上的闸极接触及设置于所述闸极接触上的第一场板。所述第一场板具有第一部分及与所述第一部份连接的第二部分。所述第一部分在大致上平行于所述衬底的表面的方向上与所述闸极接触隔开。所述第二部分在所述衬底上之投影面积与所述闸极接触在所述衬底上之投影面积部分重迭。所述第一部分具有第一厚度且所述第二部分具有第二厚度。所述第一厚度大于所述第二厚度。

本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括衬底、设置于所述衬底上且具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层、设置于所述第一氮化物半导体层上且具有第二能带间隙的第二氮化物半导体层。所述第二能带间隙大于所述第一能带间隙。所述半导体装置还包含位于所述第二氮化物半导体层上的闸极接触及第一场板。所述第一场板具有面对所述衬底的第一表面、面对所述衬底的第二表面、与所述第一表面相对的顶部表面、及延伸于所述第一表面与所述顶部表面之间的侧表面。所述侧表面面对所述闸极接触。所述第一场板更具有凸出部。所述凸出部具有面对所述衬底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面与所述第二表面之间。

本公开的一些实施例提供一种半导体装置之制造方法。所述方法包括提供衬底及在所述衬底上形成具有第一能带间隙的第一氮化物半导体层。所述方法还包括在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有大于所述第一能带间隙的第二能带间隙。所述方法还包括在所述第二氮化物半导体层上形成第一场板及在所述第二氮化物半导体层上形成第一介电层覆盖所述第一场板。所述方法还包括在所述第一介电层上形成闸极接触及移除所述第一介电层的一部分以在所述闸极接触与所述第一场板之间形成凹陷部。

附图说明