[发明专利]晶圆激光加热装置在审
| 申请号： | 202010476318.2 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111540701A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黎红强;李念;邴召荣 | 申请（专利权）人： | 青岛星成激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人： | 李祺;黄蓉 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体激光加工技术领域，尤其涉及一种晶圆激光加热装置。解决了半导体晶圆生产过程中精确控制加热难的技术难题，非接触式激光加热可以使晶圆制造工艺更可靠、更精确。采用连续光纤激光器、扩束镜、振镜、透镜、运动平台、电磁模块和视觉模块，运动平台上承载待加工晶圆，电磁模块在运动平台上方，通过软件控制电磁模块和运动平台使待加工晶圆的上层成品晶圆部分与待加工晶圆的下层承载晶圆部分之间的金属固化层产生缝隙，在激光被聚焦前进行光束整形和视觉定位，精确控制激光束的状态来实现对晶圆加热，使得成品晶圆从承载晶圆上剥离，加热区表面温升基本一致，同时温度可控，比传统加热更均匀更有效率，改善工艺效果，提高生产力。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加热 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
