[发明专利]嵌入式外延层的制造方法在审
| 申请号： | 202010473990.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599764A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式外延层的制造方法，包括步骤：步骤一、采用干法刻蚀工艺在硅衬底中形成U型凹槽；步骤二、在凹槽中填充嵌入式外延层，包括分步骤：步骤21、进行外延生长形成缓冲层；步骤22、进行外延生长形成主体层，在主体层的生长过程中会形成颗粒缺陷；步骤23、在相同的外延生长腔体通入刻蚀气体进行回刻以去除颗粒缺陷；步骤24、进行外延生长形成盖帽层。本发明能消除嵌入式外延层的外延生长过程中产生的颗粒缺陷，从而能提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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