[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010468385.X | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111640864A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王丹云;沈鼎瀛;邱泰玮;康赐俊;刘宇 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 周伟 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。该方法包括：首先，在第一电极的上方和侧壁沉积阻变材料层和第二电极；之后，使用化学机械抛光工艺(CMP)一次磨去顶部，使阻变材料层形成于第一电极的侧壁，并在水平方向形成导电细丝。化学机械抛光工艺一次去除顶部的工艺可大大减少对阻变材料层的损伤，对导电细丝形成的影响较小，从而改善了现有制造工艺对电阻转变层的损伤问题。此外，使用该制造方法制备半导体集成电路器件还大大简化了现有制造工艺的程序，进一步降低了制造成本，具有非常突出的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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