[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：

第一电极；

阻变材料层，设置在非水平方向，所述阻变材料层的一侧与所述第一电极的侧壁连接，另一侧与第二电极连接；

所述第二电极具有非水平方向的第一部分，其中，所述第一部分与所述阻变材料层的一侧连接并与所述阻变材料层另一侧连接的所述第一电极相对，以在水平方向形成导电细丝。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述第二电极还具有水平方向的第二部分，所述第二部分与所述第一部分连接。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件还包括：

至少一个导电金属，设置在所述第二电极的第二部分的上方，并与所述第二电极的第二部分连接。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，第一电极和第二电极的材料包括钛、钽、铝、氮化钛或氮化钽。

5.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

获取一带有金属导线的底板；

在所述底板上形成第一电极，使所述第一电极的侧壁暴露出来；

在所述第一电极的侧壁形成阻变材料层，使所述阻变材料层的一侧与所述第一电极的侧壁连接；

在所述阻变材料层的另一侧形成第二电极，使所述第二电极具有非水平方向的第一部分，其中，所述第一部分与所述阻变材料层的一侧连接并与所述阻变材料层另一侧连接的所述第一电极相对，以在水平方向形成导电细丝。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述底板上形成第一电极，包括：

在所述底板上沉积第一金属层；

对所述金属层进行蚀刻以形成第一电极，并使所述第一电极的侧壁暴露出来。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极的侧壁形成阻变材料层，包括：

在所述第一电极上沉积所述阻变材料层，使所述阻变材料层覆盖在所述第一电极的侧壁和上方。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述阻变材料层的另一侧形成第二电极，包括：

在所述阻变材料层之上沉积第二金属层；

对所述第二金属层和所述阻变材料层进行蚀刻。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述对所述第二金属层和所述阻变材料层进行蚀刻之后，所述方法还包括：

采用化学机械抛光工艺磨去所述第一电极上方的部分阻变材料层以及位于所述部分阻变材料层上方的部分第二金属层。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述在所述阻变材料层的另一侧形成第二电极之后，所述方法还包括：

在所述第二电极上沉积超低介质层；

在所述超低介质层上进行刻孔得到至少一个孔洞，使所述第二电极暴露于所述孔洞底部；

在所述孔洞内制备导电金属，使所述导电金属与所述第二电极连接。