[发明专利]一种近似同质外延HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010465630.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584627A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴勇;汪琼;王东;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近似同质外延HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、石墨烯层一、缓冲层一、恢复层、石墨烯层二、缓冲层二、高阻层、沟道层以及势垒层，本发明可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性，适用于高压大功率电子器件应用，通过插入石墨烯层易于剥离，可以有效的缓解蓝宝石于氮化镓层的热失配以及可以提高蓝宝石衬底和氮化镓薄膜衬底的利用率，有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 近似 同质 外延 hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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