[发明专利]一种近似同质外延HEMT器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，包括从下至上依次排布的衬底(L1)、低温成核层(L2)、石墨烯层一(L3)、缓冲层一(L4)、恢复层(L5)、石墨烯层二(L6)、缓冲层二(L7)、高阻层(L8)、沟道层(L9)、势垒层(L10)。

2.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述衬底(L1)尺寸大小为2-8inch，材质为蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述低温成核层(L2)是ALN、ALGaN、GaN其中任意一种或组合，生长温度400-700℃，薄膜厚度10-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述石墨烯层一(L3)以及石墨烯层二(L6)的薄膜厚度均为0.3nm-2nm。

5.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述缓冲层一(L4)、缓冲层二(L7)均是采用金属有机气相外延沉积非故意掺杂的氮化镓层，生长温度为900～1120℃，薄膜厚度在0.5～2um。

6.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述恢复层(L5)是采用金属有机气相外延沉积非故意掺杂生长形成的高质量的氮化镓薄膜层，薄膜厚度范围为5um-50um，其生长温度为1120～1150℃。

7.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述高阻层(L8)是采用金属有机气相外延沉积非故意掺杂生长形成的半绝缘高质量的氮化镓薄膜层，薄膜厚度范围为1um-5um。

8.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述沟道层(L9)采用金属有机气相外延沉积非故意掺杂生长形成的半绝缘高质量的氮化镓沟道薄膜层，薄膜厚度范围为50-200nm。

9.根据权利要求1所述的一种近似同质外延HEMT器件结构，其特征在于，所述势垒层(L10)的结构式为Al_xGa_1-xN，其中0x1，厚度为5-35nm。